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參數資料
| 型號： | MPSH10J05Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數： | 10/14頁 |
| 文件大小： | 738K |
| 代理商： | MPSH10J05Z |
Common Emitter Y Parameters vs. Frequency
Input Admittance
100
200
500
1000
0
4
8
12
16
20
24
f - FREQUENCY (MHz)
Y
-INP
U
T
A
D
M
IT
T
A
NCE
(
m
h
o
s
)
ie
V
= 10V
CE
I
= 2 mA
C
g ie
b ie
Output Admittance
100
200
500
1000
0
1
2
3
4
5
6
f - FREQUENCY (MHz)
Y
-
OUT
P
UT
A
D
M
IT
T
A
NCE
(m
m
h
o
s
)
oe
V
= 10V
CE
I
= 2 mA
C
g
oe
b oe
Forward Transfer Admittance
100
200
500
1000
-60
-40
-20
0
20
40
60
f - FREQUENCY (MHz)
Y
-
F
O
R
W
AR
D
AD
M
IT
T
AN
C
E
(
m
h
o
s
)
fe
V
= 10V
CE
I
= 2 mA
C
g
fe
b fe
Reverse Transfer Admittance
100
200
500
1000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
f - FREQUENCY (MHz)
Y
-
RE
VE
RSE
A
D
M
IT
T
A
NCE
(
m
h
o
s
)
re
V
= 10V
CE
I
= 2 mA
C
-g
re
-b re
MPSH10
/
MMBTH10
NPN RF Transistor
(continued)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSH11D27Z | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSH11J05Z | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSH11J18Z | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSH11L34Z | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSH11D74Z | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPSH10L-X-T92-B | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:RF TRANSISTOR |
| MPSH10L-X-T92-K | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:RF TRANSISTOR |
| MPSH10P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSH10PSTOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSH10PSTOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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