- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄358219 > MPSH37 TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | TO-92 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | MPSH37 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | TO-92 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 40V的五（巴西）總裁|到92 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 252K |
| 代理商： | MPSH37 |
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSC-01-80-01-7.70-01-L-V | 82 CONTACT(S), FEMALE, POWER CONNECTOR, SOLDER, SOCKET |
| MPTC-04-80-02-6.30-01-L-V | 86 CONTACT(S), MALE, POWER CONNECTOR, SOLDER |
| MPX4250AP | INTEGRATED PRESSURE SENSOR 20 to 250 kPa (2.9 to 36.3 psi) 0.2 to 4.9 V OUTPUT |
| MPX4250AS | INTEGRATED PRESSURE SENSOR 20 to 250 kPa (2.9 to 36.3 psi) 0.2 to 4.9 V OUTPUT |
| MPX4250 | INTEGRATED PRESSURE SENSOR 20 to 250 kPa (2.9 to 36.3 psi) 0.2 to 4.9 V OUTPUT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPSH69 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF Amplifier Transistor |
| MPSH81 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| MPSH81 D26Z | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans GP BJT PNP 20V 0.05A 3-Pin TO-92 T/R 制造商:Fairchild Semiconductor 功能描述:Trans GP BJT PNP 20V 0.05A 3-Pin TO-92 T/R |
| MPSH81/D75Z | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| MPSH81_D26Z | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。