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參數資料
| 型號： | MPSL01 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN General Purpose Amplifier |
| 中文描述： | 200 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 267K |
| 代理商： | MPSL01 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC7810CDT | 15 A 3.3-V Input Bus Termination Power Module for DDR/QDR Memory 10-DIP MODULE -40 to 85 |
| MC7810CT | 5.0 AMP POSITIVE VOLTAGE REGULATOR |
| MC78L18ACD | 5.0 AMP POSITIVE VOLTAGE REGULATOR |
| M-8888 | DTMF Transceiver |
| MSM7570L-01 | Multi-Function ADPCM CODEC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPS-L01 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Silicon Transistors |
| MPSL01_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier |
| MPSL01_D26Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN General Purpose Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSL01_D26Z_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN General Purpose Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSL01_D27Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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