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參數資料
| 型號： | MPSW45AG |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon |
| 中文描述： | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | LEAD FREE, CASE 29-10, TO-226, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | MPSW45AG |
MPSW45, MPSW45A
http://onsemi.com
4
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
Figure 6. Capacitance
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
5.0
7.0
10
20
3.0
Figure 7. High Frequency Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 8. DC Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 9. Collector Saturation Region
I
B
, BASE CURRENT ( A)
2.0
200k
5.0
0.04
4.0
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
T
J
= 25
°
C
C
1.5
2.0
2.5
3.0
1.0
0.5
|
h
V
0.1
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
10
20
40
C
ibo
C
obo
0.5
1.0
2.0
0.5
10
20
50
100
200
500
V
CE
= 5.0 V
f = 100 MHz
T
J
= 25
°
C
100k
70k
50k
30k
20k
10k
7.0k
5.0k
3.0k
2.0k
7.0
10
20
30
50 70
100
200
300
500
T
J
= 125
°
C
25
°
C
55
°
C
V
CE
= 5.0 V
0.1
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
50
100 200
500 1000
T
J
= 25
°
C
I
C
= 10 mA
50 mA
250 mA
500 mA
Figure 10. “On” Voltages
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 11. Temperature Coefficients
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.6
5.0
1.0
V
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
7.0
10
20
30
50 70 100 200 300
500
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 1000
R
θ
°
T
J
= 25
°
C
V
BE(on)
@ V
CE
= 5.0 V
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 1000
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70 100
200 300
500
25
°
C TO 125
°
C
55
°
C TO 25
°
C
*R
VC
FOR V
CE(sat)
VB
FOR V
BE
25
°
C TO 125
°
C
55
°
C TO 25
°
C
*APPLIES FOR I
C
/I
B
≤
h
FE
/3.0
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSW45ARLRA | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon |
| MPSW45ARLRAG | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon |
| MPSW45AZL1 | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon |
| MPSW45AZL1G | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon |
| MPSW45G | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPSW45AG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR NPN 50V TO-92 |
| MPSW45ARLRA | 功能描述:達林頓晶體管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSW45ARLRAG | 功能描述:達林頓晶體管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSW45AZL1 | 功能描述:達林頓晶體管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSW45AZL1G | 功能描述:達林頓晶體管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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