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參數資料
| 型號： | MRF18030ALR3 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | CHOPPER STABILIZED LATCH W/TIN PLATING |
| 中文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | NI-400, CASE 465E-04, 2 PIN |
| 文件頁數： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 508K |
| 代理商： | MRF18030ALR3 |
MRF18030ALR3 MRF18030ALSR3
2
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
°
C, 50 ohm system unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain-Source Breakdown Voltage
(V
GS
= 0 Vdc, I
D
= 20
μ
Adc)
V
(BR)DSS
65
—
—
Vdc
Zero Gate Voltage Drain Current
(V
DS
= 26 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
1
μ
Adc
Gate-Source Leakage Current
(V
GS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
GSS
—
—
1
μ
Adc
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 100
μ
Adc)
V
GS(th)
2
3
4
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(V
DS
= 26 Vdc, I
D
= 250 mAdc)
V
GS(Q)
2
3.9
4.5
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 1 Adc)
V
DS(on)
—
0.29
0.4
Vdc
Forward Transconductance
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 1 Adc)
g
fs
—
2
—
S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Reverse Transfer Capacitance (1)
(V
DS
= 26 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
rss
—
1.3
—
pF
FUNCTIONAL TESTS
(In Motorola Test Fixture) (2)
Output Power, 1 dB Compression Point
(V
DD
= 26 Vdc, I
DQ
= 250 mA, f = 1805 - 1880 MHz)
P1dB
27
30
—
Watts
Common-Source Amplifier Power Gain @ 30 W
(V
DD
= 26 Vdc, I
DQ
= 250 mA, f = 1805 - 1880 MHz)
G
ps
13
14
—
dB
Drain Efficiency @ 30 W
(V
DD
= 26 Vdc, I
DQ
= 250 mA, f = 1805 - 1880 MHz)
η
46.5
50
—
%
Input Return Loss @ 30 W
(V
DD
= 26 Vdc, I
DQ
= 250 mA, f = 1805 - 1880 MHz)
IRL
—
-12
-9
dB
Output Mismatch Stress @ 30 W
(V
DD
= 26 Vdc, I
DQ
= 250 mA, f1 = 1805 - 1880 MHz,
VSWR = 5:1, All Phase Angles at Frequency of Tests)
Ψ
No Degradation In Output Power
Before and After Test
(1) Part is internally matched both on input and output.
(2) Device specifications obtained on a Production Test Fixture.
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF18030ALSR3 | SEE A3282EUA-T |
| MRF18060B | CHOPPER STABILIZED LATCH W/TIN PLATING |
| MRF18060BLSR3 | HALL EFFFECT LATCH, SMD, SOT23W-3; Temp, op. min:-40(degree C); Temp, op. max:150(degree C); Pins, No. of:3; Case style:SOT-23W; Base number:3282; Bop, max:150G; Termination Type:SMD; Temperature, operating range:-40(degree C) to RoHS Compliant: Yes |
| MRF18060BR3 | SEE A3282LUA-T |
| MRF18060BSR3 | CHOPPER STABILIZED LATCH W/TIN PLATING |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| MRF18030ALSR5 | 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF FET 系列:- 產品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數據:- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF18030BLR3 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF18030BLSR3 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MRF18030BR3 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:THE RF MOSFET LINE RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N - CHANNEL ENHANCEMENT - MODE LATERAL MOSFETS |
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