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參數(shù)資料
| 型號： | MRF5811LT1 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | LOW NOISE HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SOT-143 |
| 封裝： | SOT-143, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 155K |
| 代理商： | MRF5811LT1 |
1
MRF5811LT1
Motorola, Inc. 1995
The RF Line
Designed for high current, low power amplifiers up to 1.0 GHz.
Low Noise (2.0 dB @ 500 MHz)
Low Intermodulation Distortion
High Gain
State–of–the–Art Technology
Fine Line Geometry
Arsenic Emitters
Gold Top Metallization
Nichrome Thin–Film Ballasting Resistors
Excellent Dynamic Range
Fully Characterized
High Current–Gain Bandwidth Product
Available in Tape and Reel by Adding T1 Suffix to Part Number.
T1 Suffix = 3,000 Units per 8 mm, 7 inch Reel.
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCBO
VEBO
IC
R
θ
JC
PD
18
Vdc
Collector–Base Voltage
36
Vdc
Emitter–Base Voltage
2.5
Vdc
Collector Current — Continuous
200
mAdc
Thermal Resistance
θ
JC (1)
106
°
C/W
Total Device Dissipation @ TC = 75
°
C
Derate above TC = 75
°
C
0.71
9.4
Watts
mW/
°
C
Storage Junction Temperature Range
Tstg
TJmax
– 55 to +150
°
C
Maximum Junction Temperature
150
°
C
DEVICE MARKING
MRF5811L = 20
NOTES:
1. Case temperature measured on collector lead immediately adjacent to body of package.
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by MRF5811LT1/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
IC = 200 mA
LOW NOISE
HIGH–FREQUENCY
TRANSISTOR
NPN SILICON
CASE 318A–05, STYLE 1
REV 1
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