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參數資料
| 型號： | MRF581 |
| 廠商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | MACRO-X-4 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 240K |
| 代理商： | MRF581 |
MSC1318.PDF 10-25-99
MRF581/MRF581A
DESCRIPTION
Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase = 25
°
C)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Parameter
MRF581
18
MRF581A
15
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mA
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
30
2.5
200
Thermal Data
P
D
Total Device Dissipation @ TC = 50oC
Derate above 50oC
2.5
25
Watts
mW/ o
C
P
D
Total Device Dissipation @ TC = 25oC
Derate above 25oC
1.25
10
Watts
mW/ o
C
Tstg
Storage Junction Temperature Range
-65 to +150
o
C
T
Jmax
Maximum Junction Temperature
150
o
C
Macro X
Features
Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ
High Gain,
Gain at Optimum Noise Figure = 15.5 dB @ 500 MHz
Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA
Cost Effective MacroX Package
RF & MICROWAVE DISCRETE
LOW POWER TRANSISTORS
140 COMMERCE DRIVE
MONTGOMERYVILLE, PA
18936-1013
PHONE: (215) 631-9840
FAX: (215) 631-9855
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF581A | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| MRF904 | 2 MEGABIT 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION |
| MRF951 | CAP CERAMIC 4PF 25V C0G 0201 |
| MS-136-C(P) | Coaxial Switches |
| MS-136 | Coaxial Switches |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MRF581_08 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| MRF5811LT1 | 制造商:Motorola Inc 功能描述:UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SOT-143 |
| MRF5812 | 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數:0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| MRF5812G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF5812G - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
| MRF5812GR1 | 功能描述:TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
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