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參數資料
| 型號： | MRFG35003MT1 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | The RF GaAs Line GALLIUM ARSENIDE PHEMT RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 中文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 466-02, 4 PIN |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 344K |
| 代理商： | MRFG35003MT1 |
1
MRFG35003MT1
Motorola, Inc. 2003
The RF GaAs Line
RF Power Field Effect Transistor
Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies
from 1.8 to 3.6 GHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB
linear base station applications.
Typical W–CDMA Performance: –42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts,
I
DQ
= 55 mA, 5 MHz Offset/3.84 MHz BW, 64 DPCH (8.5 dB P/A
@ 0.01% Probability)
Output Power — 300 mWatt
Power Gain — 11.5 dB
Efficiency — 25%
3 Watts P1dB @ 3.55 GHz
Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
High Gain, High Efficiency and High Linearity
In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain–Source Voltage
V
DSS
15
Vdc
Total Device Dissipation @ T
C
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
8.1
(2)
0.05
(2)
Watts
W/
°
C
Gate–Source Voltage
V
GS
– 5
Vdc
RF Input Power
P
in
29
dBm
Storage Temperature Range
T
stg
– 65 to +150
°
C
Channel Temperature
(1)
T
ch
175
°
C
Operating Case Temperature Range
T
C
– 20 to +85
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
Class AB
R
θ
JC
18.5
(2)
°
C/W
MOISTURE SENSITIVITY LEVEL
Test Methodology
Rating
Per JESD 22–A113
1
(1) For reliable operation, the operating channel temperature should not exceed 150
°
C.
(2) Simulated.
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by MRFG35003MT1/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
3.5 GHz, 3 W, 12 V
POWER FET
GaAs PHEMT
CASE 466–02, STYLE 1
PLD–1.5
PLASTIC
REV 0
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
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PDF描述 |
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