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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRUS51S |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | Micro power Built-in IC ultra-minimum MR sensor |
| 中文描述： | 微功耗內(nèi)置集成電路超最低MR傳感器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/3頁(yè) |
| 文件大小： | 53K |
| 代理商： | MRUS51S |
New Product DATA SHEET MR Sensor
MRUS51S
Micro power Built-in IC ultra-minimum MR sensor
1.FEATURES
High-sensitivity (1.5mT(typ.) ) & Ultra-minimum Size & Low source supply
*Micro power (6
μ
W(typ):Vcc=1.8V)
(suited for battery-operation)
1.Dimension (Unit:mm)
*Ultra-small size
MR(Magneto-resistance)sensor
z
Volume and mounting area are
70% smaller
than MRSS22L.
*
Height is about
50 % lower
than
MRSS22L.
*Operating in one way magnetic field
*Operating with independent pole
(easily manufacture)
*Superior Temperature stability
*Lead free goods
2.Fundamental Operation
2-1.Direction of Magnetic Field 2-2.Circuit Block
2-3.Performance Characteristics (25+3
C)
Operating require
Condition
Output
Voltage
When power switch is ON
H = 0 mT (
Magnetic Flux Density)
Hi-level
When magnetic field is applied
H
2.2 mT
(
Magnetic Flux Density)
Lo-level
When magnetic field is applied
H
0.5 mT
(
Magnetic Flux Density
)
Hi-level
1
1
1.4
Out
Vcc
Gnd
Max0.55
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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