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參數資料
型號: MS1226
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS
中文描述: HF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝: PLASTIC, M113, 4 PIN
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 61K
代理商: MS1226
MSC0943.PDF 10-28-98
MS1226
140 COMMERCE DRIVE
MONTGOMERYVILLE, PA
18936-1013
PHONE: (215) 631-9840
FAX: (215) 631-9855
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
HF SSB APPLICATIONS
DESCRIPTION:
The MS1226 is a 28V epitaxial silicon NPN planar transistor
designed primarily for SSB communications. This device
utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and
reliability.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CBO
Collector-base Voltage
V
CEO
Collector-emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Device Current
P
DISS
Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Parameter
Value
65
36
4.0
4.5
80
+200
-65 to +150
Unit
V
V
V
A
W
°
C
°
C
Thermal Data
R
TH(J-C)
Junction-case Thermal Resistance
2.2
°
C/W
Features
30 MHz
28 VOLTS
IMD = -28 dB
P
OUT
= 30 WATTS
G
P
= 18 dB MINIMUM
COMMON EMITTER CONFIGURATION
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參數描述
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