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參數資料
型號: MSC2295-BT1
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: NPN RF Amplifier Transistors Surface Mount
中文描述: Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SC-59, 3 PIN
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 112K
代理商: MSC2295-BT1
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
MAXIMUM RATINGS
(TA = 25
°
C)
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Base Voltage
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
IC
30
Vdc
Collector–Emitter Voltage
20
Vdc
Emitter–Base Voltage
5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
30
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Power Dissipation
PD
TJ
Tstg
200
mW
Junction Temperature
150
°
C
Storage Temperature
–55 ~ +150
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Collector–Base Cutoff Current
(VCB = 10 Vdc, IE = 0)
DC Current Gain(1)
(VCB = 10 Vdc, IC = –1.0 mAdc)
ICBO
0.1
μ
Adc
MSC2295–BT1
MSC2295–CT1
hFE
70
110
140
220
Collector–Gain — Bandwidth Product
(VCB = 10 Vdc, IE = –1.0 mAdc)
fT
150
MHz
Reverse Transistor Capacitance
(VCE = 10 Vdc, IC = 1.0 mAdc, f = 10.7 MHz)
1. Pulse Test: Pulse Width
300
μ
s, D.C.
2%.
Cre
1.5
pF
DEVICE MARKING
Marking Symbol
VB
X
MSC2295–BT1
VC
X
MSC2295–CT1
The “X” represents a smaller alpha digit Date Code. The Date Code indicates the actual month
in which the part was manufactured.
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
Order this document
by MSC2295–BT1/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Motorola Preferred Devices
CASE 318D–03, STYLE 1
SC–59
2
1
3
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
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PDF描述
MSC2295-CT1 NPN RF Amplifier Transistors Surface Mount
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參數描述
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