- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄229296 > MT28C64464W18ABW-F605P70TWT SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA77 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | MT28C64464W18ABW-F605P70TWT |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA77 |
| 封裝： | 8 X 10 MM, LEAD FREE, FBGA-77 |
| 文件頁數： | 1/13頁 |
| 文件大小： | 239K |
| 代理商： | MT28C64464W18ABW-F605P70TWT |
PRODUCTS AND SPECIFICATIONS DISCUSSED HEREIN ARE SUBJECT TO CHANGE BY MICRON WITHOUT NOTICE. PRODUCTS AND SPECIFICATIONS DIS-
CUSSED HEREIN ARE FOR EVALUATION AND REFERENCE PURPOSES ONLY AND ARE SUBJECT TO CHANGE by MICRON WITHOUT NOTICE. PRODUCTS ARE
ONLY WARRANTED BY MICRON TO MEET MICRON'S PRODUCTION DATA SHEET SPECIFICATIONS.
09005aef80c9c807
MT28C64432W18A.fm - Rev. F Pub 2/04 EN
1
2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
64Mb MULTIBANK ASYNC/PAGE OR BURST FLASH
16Mb/32Mb/64Mb ASYNC/PAGE CellularRAM
FLASH AND CellularRAM
COMBO MEMORY
MT28C64416W18/W30A (ADVANCE)
MT28C64432W18/W30A
MT28C64464W18/W30A
Low Voltage, Wireless Temperature
Features
Stacked die Combo package
Includes one 64Mb Flash device
Choice of either 16Mb, 32Mb, or 64Mb Cellular-
RAM device
Basic configuration
Flash
Flexible multibank architecture
4 Meg x 16 Async/Page/Burst interface
Support for true concurrent operations with no
latency
CellularRAM
Low-power, high-density design
1 Meg x 16, 2 Meg x 16, or 4 Meg x 16 configurations
Async/Page
F_VCC, VCCQ, F_VPP, C_VCC voltages
1.70V (MIN)/1.95V (MAX) F_VCC, C_VCC
1.70V (MIN)/2.24V (MAX) VCCQ (W18)
2.20V (MIN)/3.30V(MAX) VCCQ (W30)
1.80V (TYP) F_VPP (in-system PROGRAM/ERASE)
12V ±5% (HV) F_VPP tolerant (factory programming
compatibility)
Fast programming Algorithm (FPA)
Enhanced suspend options
ERASE-SUSPEND-to-READ within same bank
PROGRAM-SUSPEND-to-READ within same bank
ERASE-SUSPEND-to-PROGRAM within same bank
Flash device contains two 64-bit chip protection registers
for security purposes
100,000 ERASE cycles per block
Cross-compatible command set support
Extended command set
Common Flash interface (CFI) compliant
Manufacturer’s Identification Code (ManID)
Micron
Intel
MT28C64416W18/W30A is advance status.
Options
Flash Timing
60ns1 (W18)
70ns (W18/W30)
Flash Burst Frequency
66 MHz1 (W18)
54 MHz (W18/W30)
Flash Boot Block Configuration
Top
Bottom
CellularRAM Timing
70ns
85ns
I/O Voltage Range
VccQ 1.70V–2.24V (W18)
VccQ 2.20V–3.30V (W30)
Manufacturer’s Identification Code (ManID)
Micron (0x2Ch)
Intel (0x89h)
Operating Temperature Range
Wireless Temperature (-25°C to +85°C)
Package
77-ball (Standard) FBGA 8 x 10 grid
77-ball (Lead-free) FBGA 8 x 10 grid2
NOTE:
1. Contact factory for availability.
2. Contact factory for details.
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
1
2
3
4
5
6
7
8
?Top View
(Ball?Down)
C_VSS
F_VPP
F_WP#
F_RST#
DQ10
DQ3
DQ11
NC
F_VCC
A19
C_UB#
DQ2
DQ1
DQ9
NC
VCCQ
A4
A5
A3
A2
A1
A0
C_OE#
NC
F_CE#
C_VSS
F_VCC
F_CLK
C_CE#
A20
A8
DQ13
DQ14
DQ6
F_VCC
VSSQ
A11
A12
A13
A15
A16
RFU
VCCQ
C_ZZ#
C_VSS
F_VCC
NC
C_WE#
F_ADV#
F_WE#
DQ5
DQ12
DQ4
C_VCC
C_VSS
A18
C_LB#
A17
A7
A6
DQ8
DQ0
F_OE#
NC
VSSQ
RFU
A9
A10
A14
F_WAIT#
DQ7
DQ15
VCCQ
F_VSS
A21
Figure 1: 77-Ball FBGA
NOTE:
Balls B6, D5, and F7 are only used for Flash burst operation.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M93C56-BN3 | 128 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8 |
| M93C76-MB6TP | 512 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| M93C76-WDS6G | 512 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| ML1I-65656V-100SHXXX | 32K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, CDIP28 |
| MLCP-65656V-100/883 | 32K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, CDIP28 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MT28CDM48MGKHBAAMS-5 WT | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:8MX16/64MX32 MCP PLASTIC WIRELESS TEMP PBF WFBGA 1.8V - Bulk |
| MT28EW128ABA1HJS-0SIT | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 70NS 56TSOP 制造商:micron technology inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:閃存 技術:FLASH - NOR 存儲容量:128Mb （16M x 8，8M x 16） 寫周期時間 - 字，頁:60ns 訪問時間:95ns 存儲器接口:并聯 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商器件封裝:56-TSOP（14x20） 標準包裝:576 |
| MT28EW128ABA1HPC-0SIT | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 70NS 64LBGA 制造商:micron technology inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:閃存 技術:FLASH - NOR 存儲容量:128Mb （16M x 8，8M x 16） 寫周期時間 - 字，頁:60ns 訪問時間:95ns 存儲器接口:并聯 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:64-LBGA 供應商器件封裝:64-LBGA（11x13） 標準包裝:1,104 |
| MT28EW128ABA1LJS-0SIT | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 70NS 56TSOP 制造商:micron technology inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:閃存 技術:FLASH - NOR 存儲容量:128Mb （16M x 8，8M x 16） 寫周期時間 - 字，頁:60ns 訪問時間:95ns 存儲器接口:并聯 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商器件封裝:56-TSOP（14x20） 標準包裝:576 |
| MT28EW128ABA1LPC-0SIT | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 70NS 64LBGA 制造商:micron technology inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:閃存 技術:FLASH - NOR 存儲容量:128Mb （16M x 8，8M x 16） 寫周期時間 - 字，頁:60ns 訪問時間:95ns 存儲器接口:并聯 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:64-LBGA 供應商器件封裝:64-LBGA（11x13） 標準包裝:1,104 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。