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參數(shù)資料
| 型號： | MT6L61AT |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE |
| 中文描述： | 硅型瑞展 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 83K |
| 代理商： | MT6L61AT |
MT6L61AT
2002-01-18
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
MT6L61AT
VHF-UHF Band Low Noise Amplifier Application
VHF-UHF Band Oscillator Application
Maximum Ratings
(Ta 25°C)
Rating
Characteristics
Symbol
Q1
Q2
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
10
10
V
Collector-emitter voltage
V
CEO
5
5
V
Emitter-base voltage
V
EBO
1.5
2
V
Collector current
I
C
25
40
mA
Base current
I
B
10
10
mA
Collector power dissipation
P
C
(Note1)
200
mW
Junction temperature
T
j
125
°C
Storage temperature range
T
stg
55~125
°C
Note1: Total power dissipation of Q1 and Q2
Q1
Q2
Three pin SSM type part No.
MT3S07S
MT3S04AS
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-2JA1C
Weight: 0.008 g (typ.)
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