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參數資料
| 型號： | MTD4P05 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 中文描述： | 4 A, 50 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 177K |
| 代理商： | MTD4P05 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTD4P06 | POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MTD5N05 | Power Field Effect Transistors |
| MTD5N05-1 | Power Field Effect Transistors |
| MTD5N06 | Power Field Effect Transistors |
| MTD5N06-1 | Power Field Effect Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MTD4P06 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MTD5010M | 制造商:MARKTECH 制造商全稱:Marktech Corporate 功能描述:Ultra High Speed Photo Diode |
| MTD5010N | 功能描述:PHOTO DIODE 850NM DOME CLR TO-18 RoHS:是 類別:傳感器，轉換器 >> 光學 - 光電檢測器 - 光電二極管 系列:- 標準包裝:1 系列:- 波長:850nm 顏色 - 增強型:- 光譜范圍:400nm ~ 1100nm 二極管類型:引腳 nm 下響應率:0.62 A/W @ 850nm 響應時間:5ns 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 暗（標準）:1nA 有效面積:1mm² 視角:150° 工作溫度:-40°C ~ 100°C 封裝/外殼:徑向，5mm 直徑（T 1 3/4） 其它名稱:475-2649-6 |
| MTD5010N-DIG | 制造商:Marktech Optoelectronics 功能描述:PHOTO DIODE 850NM DOME CLR TO-18 |
| MTD5010W | 功能描述:PHOTO DIODE 850NM FLAT CLR TO-18 RoHS:是 類別:傳感器，轉換器 >> 光學 - 光電檢測器 - 光電二極管 系列:- 標準包裝:1 系列:- 波長:850nm 顏色 - 增強型:- 光譜范圍:400nm ~ 1100nm 二極管類型:引腳 nm 下響應率:0.62 A/W @ 850nm 響應時間:5ns 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 暗（標準）:1nA 有效面積:1mm² 視角:150° 工作溫度:-40°C ~ 100°C 封裝/外殼:徑向，5mm 直徑（T 1 3/4） 其它名稱:475-2649-6 |
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