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參數資料
型號: MTD6N20ET4
廠商: ON Semiconductor
文件頁數: 2/7頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
產品變化通告: Product Obsolescence 21/Jan/2010
標準包裝: 10
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 6A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 700 毫歐 @ 3A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 480pF @ 25V
功率 - 最大: 1.75W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝: DPAK-3
包裝: 標準包裝
其它名稱: MTD6N20ET4OSDKR
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