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參數資料
| 型號： | MTE50N45 |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS |
| 中文描述： | 功率場效應晶體管N溝道增強型硅門的TMOS |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 396K |
| 代理商： | MTE50N45 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTE50N50 | POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS |
| MTE60N35 | POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS |
| MTE60N40 | POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS |
| MTH15N35 | N-Channel Enhancement Mode silicon Gate TMOS |
| MTH15N40 | N-Channel Enhancement Mode silicon Gate TMOS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MTE50N50 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS |
| MTE5270N | 功能描述:Visible Emitter 527nm 2.7V 150mA 26mW/sr @ 50mA 18° TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 制造商:marktech optoelectronics 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 類型:可見 電流 - DC 正向（If）:150mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:26mW/sr @ 50mA 波長:527nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:2.7V 視角:18° 朝向:頂視圖 工作溫度:-40°C ~ 100°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐 標準包裝:20 |
| MTE5270P | 功能描述:Visible Emitter 527nm 2.7V 150mA 6° TO-18-2 Metal Can 制造商:marktech optoelectronics 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 類型:可見 電流 - DC 正向（If）:150mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:- 波長:527nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:2.7V 視角:6° 朝向:頂視圖 工作溫度:-40°C ~ 100°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-18-2 金屬罐 標準包裝:20 |
| MTE5270P-C | 功能描述:EMITTER 5MM 527NM TO18 制造商:marktech optoelectronics 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 類型:可見 電流 - DC 正向（If）:150mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:- 波長:527nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:2.7V 視角:12° 朝向:頂視圖 工作溫度:-40°C ~ 100°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-18-2 金屬罐 標準包裝:1 |
| MTE53N50E | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 53 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 0.080 OHM |
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