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參數資料
| 型號： | MTM8N60 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS |
| 中文描述： | 8 A, 600 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 386K |
| 代理商： | MTM8N60 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTH8N55 | Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS |
| MTH8N60 | Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS |
| MTP15N05E | POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE |
| MTP15N06VL | TMOS POWER FET 15 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.085 OHM |
| MTP15N08EL | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MTM8P08 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MTM8P10 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MTM-90 | 制造商:Mipro Electronics Co 功能描述:WIRELESS INTERLINK TRANSMITTER FOR MA-808PA / 708PA |
| MTM981400BBF | 功能描述:MOSFET PCH MOS FET FLT LD 5.0x6.0mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| MTM982400BBF | 功能描述:MOSFET NCH MOS FET FLT LD 5.0x6.0mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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