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參數(shù)資料
| 型號： | MUBW10-12A6 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Converter - Brake - Inverter Module (CBI1) |
| 中文描述： | 13 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-25 |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 261K |
| 代理商： | MUBW10-12A6 |
2000 IXYS All rights reserved
2 - 8
Output Inverter T1 - T6, D1 - D6
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 25°C; R
GE
= 20k
1200
V
1200
V
V
GE
T
VJ
= 25°C
±20
V
I
C
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
13
A
A
8
I
CM
t
p
= 1 ms = 1% duty cycle;
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
26
16
A
A
t
SC
V
= 600 V; T
VJ
= 25°C; T
VJ
= 125°C
non-repetitive
10
μs
P
tot
T
C
= 25°C
67
W
T
VJ
T
VJ
Free-Wheeling Diode
IGBT
+150
+150
°C
°C
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T
VJ
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
I
CES
V
GE
= 0 V; V
CE
= 1000 V
1
100
μA
I
GES
V
CE
= 0 V; V
GE
= 25 V
0.1
100
nA
V
GE(th)
V
GE
= V
CE
; I
C
= 0.3 mA
4.5
5.5
6.5
V
V
(BR)CES
V
GE
= 0 V; I
C
= 10 mA; T
VJ
= -40°C
1200
V
V
CEsat
V
GE
= 15 V; I
C
= 5 A; T
VJ
= 25°C
2.8
3.3
4.5
V
V
T
VJ
= 150°C
4
t
f
t
r
t
d(on)
t
d(off)
E
off
E
on
200
55
ns
ns
65
320
ns
ns
0.4
0.8
mJ
mJ
C
iss
C
oss
C
rss
650
50
20
pF
pF
pF
g
fs
V
CE
= 20 V; I
C
= 1.5 A
1.7
2.5
S
Q
g
V
CC
= 800 V; I
C
= 6 A pulse; V
GE
= 15 V
48
C
V
F
I
F
= 4 A; V
GE
= 0 V;
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 100°C
2.3
3
V
V
2
t
rr
I
F
= 4 A; V
= 0 V; T
= 100°C
V
R
= -300 V; di
F
/dt = -800 A/μs
55
ns
Q
r
I
F
= 4 A; V
= -300 V; V
GE
= 0 V
di
F
/dt = -800 A/μs
0.8
μC
I
r
250
μA
R
thJC
IGBT
Diode
(per die)
(per die)
1.55
2.25
°C/W
°C/W
Inductive load, T
= 125°C
V
CC
= 600 V; I
C
= 5 A
R
G
= 100 ; V
GE
= ±15 V
V
GE
= 0 V
V
= 25 V
f = 1 MHz
MUBW 10-12A6
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUBW15-06A6 | Converter - Brake - Inverter Module (CBI1) |
| MUBW20-06A6K | Converter - Brake - Inverter Module |
| MUBW25-12A7 | Converter - Brake - Inverter Module |
| MUBW30-12A6 | Converter - Brake - Inverter Module |
| MUBW50-06A8 | Converter - Brake - Inverter Module (CBI3) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUBW10-12A7 | 功能描述:分立半導體模塊 10 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| MUBW15-06A6 | 功能描述:MODULE IGBT CBI E1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| MUBW15-06A6K | 功能描述:分立半導體模塊 15 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| MUBW15-06A7 | 功能描述:分立半導體模塊 15 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| MUBW15-12A6 | 功能描述:MODULE IGBT CBI E1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設(shè)備封裝:SOT-227B |
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