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參數資料
型號: MUN2111T1G
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Bias Resistor Transistor
中文描述: 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: LEAD FREE, PLASTIC, CASE 318D-04, SC-59, 3 PIN
文件頁數: 6/12頁
文件大?。?/td> 159K
代理商: MUN2111T1G
MUN2111T1 Series
http://onsemi.com
6
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MUN2112T1
V
i
I
I
C
C
C
o
C
h
F
D
V
C
M
(
T
A
=
25
°
C
Figure 8. V
CE(sat)
vs. I
C
Figure 9. DC Current Gain
1000
10
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
10
1
10
0
T
A
= 75
°
C
Figure 10. Output Capacitance
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
10
20
30
75
°
C
100
10
1
0.1
40
50
Figure 11. Output Current vs. Input Voltage
100
10
1
0.1
0.01
0.0010
1
2
3
4
V
in
, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
25
°
C
5
6
7
8
9
10
Figure 12. Input Voltage vs. Output Current
0.01
0.1
1
10
40
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
20
60
80
75
°
C
25
°
C
T
A
=
25
°
C
50
0
10
20
30
40
4
3
2
1
0
V
R
, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
25
°
C
V
CE
= 10 V
I
C
/I
B
= 10
f = 1 MHz
l
E
= 0 V
T
A
= 25
°
C
V
O
= 5 V
25
°
C
75
°
C
25
°
C
T
A
=
25
°
C
V
O
= 0.2 V
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