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參數資料
型號: MUN2111T3G
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Bias Resistor Transistors
中文描述: 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: LEAD FREE, PLASTIC, CASE 318D-04, SC-59, 3 PIN
文件頁數: 9/13頁
文件大小: 117K
代理商: MUN2111T3G
MUN2111T1 Series
http://onsemi.com
9
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS MUN2131T1
Figure 23. V
CE(sat)
vs. I
C
75
°
C
I
C
/I
B
=10
10
1
0.1
0.01
15
5
0
20
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
C
M
25
35
25
°
C
25
°
C
30
Figure 24. DC Current Gain
I
C
/I
B
= 10
1
1000
100
10
10
100
1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
h
75
°
C
25
°
C
25
°
C
Figure 25. Output Capacitance
0
8
6
20
4
2
0
V
R,
REVERSE BIAS VOLTAGE (V)
C
o
C
10
55
50
40
30
10
12
45
35
25
15
5
f = 1 MHz
I
E
= 0 A
T
A
= 25
°
C
Figure 26. Output Current vs. Input Voltage
0
100
10
2
4
6
1
0.01
0.01
8
V
in,
INPUT VOLTAGE (V)
I
C
,
V
O
= 5 V
75
°
C
T
A
= 25
°
C
25
°
C
1
3
5
7
Figure 27. Input Voltage vs. Output Current
V
O
= 0.2 V
0
10
10
20
25
1
0.1
I
C,
COLLECTOR CURRENT (mA)
T
A
= 25
°
C
75
°
C
25
°
C
5
15
V
n
I
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MUN2112T1G 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN2112T3 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
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