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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MUN2114T1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | Bias Resistor Transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 318D-04, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/12頁(yè) |
| 文件大小： | 159K |
| 代理商： | MUN2114T1 |
MUN2111T1 Series
http://onsemi.com
6
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MUN2112T1
V
i
I
I
C
C
C
o
C
h
F
D
V
C
M
(
T
A
=
25
°
C
Figure 8. V
CE(sat)
vs. I
C
Figure 9. DC Current Gain
1000
10
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
10
1
10
0
T
A
= 75
°
C
Figure 10. Output Capacitance
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
10
20
30
75
°
C
100
10
1
0.1
40
50
Figure 11. Output Current vs. Input Voltage
100
10
1
0.1
0.01
0.0010
1
2
3
4
V
in
, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
25
°
C
5
6
7
8
9
10
Figure 12. Input Voltage vs. Output Current
0.01
0.1
1
10
40
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
20
60
80
75
°
C
25
°
C
T
A
=
25
°
C
50
0
10
20
30
40
4
3
2
1
0
V
R
, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
25
°
C
V
CE
= 10 V
I
C
/I
B
= 10
f = 1 MHz
l
E
= 0 V
T
A
= 25
°
C
V
O
= 5 V
25
°
C
75
°
C
25
°
C
T
A
=
25
°
C
V
O
= 0.2 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN2114T1G | Bias Resistor Transistor |
| MUN2115T1 | Bias Resistor Transistor |
| MUN2116T1 | Bias Resistor Transistor |
| MUN2116T1G | Bias Resistor Transistor |
| MUN211 | Bias Resistor Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUN2114T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR PNP 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN2114T3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23VAR |
| MUN2115 | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN2115RT1 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor |
| MUN2115T1 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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