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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MUN2133T1G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Bias Resistor Transistors |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, CASE 318D-04, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/13頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 117K |
| 代理商： | MUN2133T1G |
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MUN2111T1 Series
http://onsemi.com
5
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS MUN2111T1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V
i
I
I
C
C
h
F
D
Figure 3. V
CE(sat)
vs. I
C
0
T
A
= 25
°
C
25
°
C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Figure 4. DC Current Gain
Figure 5. Output Capacitance
Figure 6. Output Current vs. Input Voltage
Figure 7. Input Voltage vs. Output Current
0.01
20
0.1
1
0
40
60
80
1000
1
10
100
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
10
0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.1
1
10
100
10
20
30
40
50
T
A
= 25
°
C
75
°
C
75
°
C
50
0
10
20
30
40
4
3
1
2
V
R
, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
0
T
A
= 2
°
5C
25
°
C
75
°
C
25
°
C
V
CE
= 10 V
V
O
= 5 V
V
in
, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
f = 1 MHz
l
E
= 0 V
T
A
= 25
°
C
25
°
C
V
C
M
(
C
o
C
T
A
= 75
°
C
I
C
/I
B
= 10
25
°
C
V
O
= 0.2 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN2136T1G | Bias Resistor Transistors |
| MUN2137T1G | Bias Resistor Transistors |
| MUN2140T1G | Bias Resistor Transistors |
| MUN2137T1 | DIODE ZENER SINGLE 150mW 27Vz 2mA-Izt 0.0704 0.1uA-Ir 18.9 SOT-523 3K/REEL |
| MUN2111T1G | Bias Resistor Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUN2134 | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN2134RT1 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor |
| MUN2134T1 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN2134T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN2135T1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PNP DIGITAL TRANSISTOR (B - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PNP DIGITAL TRANSISTOR (B - Cut TR (SOS) 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / PNP DIGITAL TRANSISTOR (B |
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