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參數資料
| 型號： | MUN5330DW1T3 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | CASE 419B-01, 6 PIN |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 352K |
| 代理商： | MUN5330DW1T3 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN5312DW1T2 | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MW6S004NT1 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MW6S010MR1 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270 |
| MW6S010GMR1 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270 |
| MW6S010NR1 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MUN5331DW | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Dual Bias Resistor Transistor NPNPNP Silicon |
| MUN5331DW1T1 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA Complementary RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5331DW1T1G | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA Complementary 50V NPN & PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5332DW | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Dual Bias Resistor Transistor NPNPNP Silicon |
| MUN5332DW1 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Bias Resistor Transistors R1 = 4.7 k, R2 = 4.7 k |
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