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參數(shù)資料
型號(hào): MVDF1N05ER2G
廠商: ON Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 4/5頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 50V 2A 8-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 2,500
FET 型: 2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 50V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 300 毫歐 @ 1.5A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 12.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 330pF @ 25V
功率 - 最大: 2W
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SO
包裝: 帶卷 (TR)
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