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參數(shù)資料
型號(hào): MX0912B351Y
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 功率晶體管
英文描述: NPN microwave power transistor
封裝: MX0912B351Y<SOT439A (CDFM2)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT439A.html<1<Always Pb-free,;
文件頁(yè)數(shù): 1/12頁(yè)
文件大小: 76K
代理商: MX0912B351Y
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of November 1994
1997 Feb 19
DISCRETE SEMICONDUCTORS
MX0912B351Y
NPN microwave power transistor
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MZ0912B100Y NPN microwave power transistors
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MX0912B351Y TRAY 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MX0912B351Y,114 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MX0912B351Y114 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistor
MX1 制造商:METRIX 功能描述:ANALOGUE METER 制造商:METRIX 功能描述:MULTIMETER ANALOG 8 FUNCTIONS 制造商:METRIX 功能描述:MULTIMETER, ANALOG, 8 FUNCTIONS 制造商:METRIX 功能描述:MULTIMETER, ANALOG, 8 FUNCTIONS, Voltage Measuring Range DC:150mV to 1V, Voltage
MX-1 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DIODE
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