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參數資料
| 型號： | MZ0912B50Y |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN microwave power transistors |
| 封裝： | MZ0912B50Y<SOT443A (CDFM2)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT443A.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 75K |
| 代理商： | MZ0912B50Y |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of November 1994
1997 Feb 18
DISCRETE SEMICONDUCTORS
MZ0912B50Y
NPN microwave power transistor
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MZ0912B50Y | NPN microwave power transistors |
| MZ0912B50Y | NPN microwave power transistors |
| MZ0912B50Y | NPN microwave power transistors |
| P-10-50R-0-CMC | FLASH-Based 8-Bit CMOS Microcontroller, -40C to +125C, 20-SSOP 208mil, T/R |
| P-111 | Analog IC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MZ0912B50Y TRAY | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MZ0912B50Y,114 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MZ1.0GD100V-2.5 | 制造商:MIC 制造商全稱:MIC GROUP RECTIFIERS 功能描述:ZENER DIODE |
| MZ1.0GD10V-25 | 制造商:MIC 制造商全稱:MIC GROUP RECTIFIERS 功能描述:ZENER DIODE |
| MZ1.0GD11V-23 | 制造商:MIC 制造商全稱:MIC GROUP RECTIFIERS 功能描述:ZENER DIODE |
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