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NCP349GEVB

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型號(hào)
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數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

NCP349GEVB
北京杰創(chuàng)宏達(dá)電子有限公司
北京杰創(chuàng)宏達(dá)電子有限公司
聯(lián)系人：沈小姐/伊小姐/張先生
電話：010-61190909
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊26號(hào)悅MOMA701室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
2600
原廠原裝
原廠原裝
25+
-
授權(quán)代理商

NCP349GEVB
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
聯(lián)系人：駱小姐
電話：18124020586
地址：深圳市龍崗區(qū)雅寶路1號(hào)星河world， A棟2203A
36429
onsemi
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

NCP349GEVB
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
ON Semiconductor
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
百分百原裝假一罰十

NCP349GEVB
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
ON Semiconductor
標(biāo)準(zhǔn)封裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

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1

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功能描述
電源管理IC開發(fā)工具 POSITIVE OVP EVB
RoHS
否
制造商
Maxim Integrated
產(chǎn)品
Evaluation Kits
類型
Battery Management
工具用于評(píng)估
MAX17710GB
輸入電壓
輸出電壓
1.8 V

NCP349GEVB 技術(shù)參數(shù)

NCP3488DR2G 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC ANA 12V MOSFET DR RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube NCP3420MNR2G 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC TSMC 12V FET DRVR RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube NCP3420DR2G 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC TSMC 12V FET DRVR RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube NCP341MUTBG 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Controlled Load Switch Soft-Start NCP3418DR2G 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC ANA 12V MOSFET DR RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube NCP360MUTBG NCP360MUTXG NCP360SNAET1G NCP360SNAFT1G NCP360SNAIT1G NCP360SNT1G NCP361MUTBG NCP361SNT1G NCP362GEVB NCP367DPMUEBTBG NCP367DPMUECTBG NCP367DPMUEETBG NCP367DPMUELTBG NCP367OPMUEATBG NCP367OPMUEOTBG NCP370GEVB NCP370MUAITXG NCP3712ASNT1

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