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NLV25T-R12J-EFD

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

NLV25T-R12J-EFD
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
6000
TDK Corporation
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百正品

1/1頁 40條/頁共4條
1

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NLV25T-R12J-EFD PDF下載

功能描述
120nH Unshielded Wirewound Inductor 550mA 300 mOhm Max 1008 (2520 Metric)
制造商
tdk corporation
系列
NLV-EFD
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
停產
類型
繞線
材料 - 磁芯
鐵氧體
電感
120nH
容差
±5%
額定電流
550mA
電流 - 飽和值
-
屏蔽
無屏蔽
DC 電阻（DCR）
300 毫歐最大
不同頻率時的 Q 值
30 @ 25.2MHz
頻率 - 自諧振
700MHz
等級
AEC-Q200
工作溫度
-40°C ~ 105°C
頻率 - 測試
25.2MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
1008（2520 公制）
大小/尺寸
0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）
高度 - 安裝（最大值）
0.075"（1.90mm）
標準包裝
1

NLV25T-R12J-EFD 技術參數

NLV25T-R12J-EF 功能描述:120nH Unshielded Wirewound Inductor 550mA 300 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EF 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:120nH 容差:±5% 額定電流:550mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:300 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:30 @ 25.2MHz 頻率 - 自諧振:700MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:25.2MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.075"（1.90mm）標準包裝:1 NLV25T-R10J-PF 功能描述:100nH Unshielded Wirewound Inductor 280mA 800 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:100nH 容差:±5% 額定電流:280mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:800 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:20 @ 100MHz 頻率 - 自諧振:800MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.075"（1.90mm）標準包裝:1 NLV25T-R10J-EFD 功能描述:100nH Unshielded Wirewound Inductor 280mA 800 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:100nH 容差:±5% 額定電流:280mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:800 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:20 @ 100MHz 頻率 - 自諧振:800MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.075"（1.90mm）標準包裝:1 NLV25T-R10J-EF 功能描述:100nH Unshielded Wirewound Inductor 280mA 800 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EF 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:100nH 容差:±5% 額定電流:280mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:800 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:20 @ 25.2MHz 頻率 - 自諧振:800MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.075"（1.90mm）標準包裝:1 NLV25T-8R2J-PF 功能描述:8.2μH Unshielded Wirewound Inductor 160mA 3.05 Ohm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:8.2μH 容差:±5% 額定電流:160mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:3.05 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:25 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:36MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.075"（1.90mm）標準包裝:1 NLV25T-R18J-PFD NLV25T-R22J-EF NLV25T-R22J-EFD NLV25T-R22J-PF NLV25T-R22J-PFD NLV25T-R27J-EF NLV25T-R27J-EFD NLV25T-R27J-PF NLV25T-R27J-PFD NLV25T-R33J-EF NLV25T-R33J-EFD NLV25T-R33J-PF NLV25T-R33J-PFD NLV25T-R39J-EF NLV25T-R39J-EFD NLV25T-R39J-PF NLV25T-R39J-PFD NLV25T-R47J-EF