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NLV37WZ07USG

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

NLV37WZ07USG
深圳市亞泰盈科電子有限公司
深圳市亞泰盈科電子有限公司
聯(lián)系人：鄭女士
電話：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田區(qū)佳和大廈B座1010
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
55740
onsemi(安森美)
US-8
2025+
-

NLV37WZ07USG
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
ONS
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

NLV37WZ07USG
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-621049316210489162104578
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
ON Semiconductor
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
假一罰十，原裝正品

NLV37WZ07USG
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室
1930
Onsemi
N/A ㊣品
N/A 原裝進口
-
渠道可追溯現(xiàn)貨庫存LY

NLV37WZ07USG
深圳市高創(chuàng)鑫電子科技有限公司
深圳市高創(chuàng)鑫電子科技有限公司
聯(lián)系人：曾小姐
電話：0755-2330298015814019597
地址：深圳市福田區(qū)華強北路賽格科技園4棟西10樓C052房間
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
15000
onsemi
8-VFSOP
2023+
-
原裝正品現(xiàn)貨，假1罰100

NLV37WZ07USG
深圳市訊順達科技有限公司
深圳市訊順達科技有限公司
聯(lián)系人：卓小姐/蔡小姐/莊小姐
電話：0755-827272340755-23915567
地址：深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場A座15KL
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
4200
ON Semiconductor
US8
23+
-
全新原裝歡迎詢價下單

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制造商
ONSEMI
制造商全稱
ON Semiconductor
功能描述
Triple Buffer with Open Drain Outputs

NLV37WZ07USG 技術(shù)參數(shù)

NLV32T-R82J-PF 功能描述:820nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 650 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:820nH 容差:±5% 額定電流:450mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:650 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:30 @ 25.2MHz 頻率 - 自諧振:140MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:25.2MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1210（3225 公制）大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV32T-R82J-EFD 功能描述:820nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 650 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:820nH 容差:±5% 額定電流:450mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:650 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:30 @ 25.2MHz 頻率 - 自諧振:140MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:25.2MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1210（3225 公制）大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV32T-R82J-EF 功能描述:820nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 650 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EF 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:820nH 容差:±5% 額定電流:450mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:650 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:30 @ 25.2MHz 頻率 - 自諧振:140MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:25.2MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1210（3225 公制）大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV32T-R68J-PF 功能描述:680nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 600 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:680nH 容差:±5% 額定電流:450mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:600 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:30 @ 25.2MHz 頻率 - 自諧振:160MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:25.2MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1210（3225 公制）大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV32T-R68J-EFD 功能描述:680nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 600 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:680nH 容差:±5% 額定電流:450mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:600 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:30 @ 25.2MHz 頻率 - 自諧振:160MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:25.2MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1210（3225 公制）大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV74AC32DR2G NLV74AC74DR2G NLV74ACT00DR2G NLV74ACT02DR2G NLV74ACT125DR2G NLV74ACT138DR2G NLV74ACT139DR2G NLV74ACT244DWR2G NLV74FST3257DR2G NLV74HC00ADG NLV74HC00ADR2G NLV74HC00ADTR2G NLV74HC02ADR2G NLV74HC02ADTR2G NLV74HC03ADG NLV74HC03ADR2G NLV74HC03ADTR2G NLV74HC04ADG