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NP89N04PUK-E1-AY

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
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    聯系人:唐先生

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  • 865000

  • Renesas

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  • 深圳市芯脈實業有限公司
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    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

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  • Renesas Electronics Ameri

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  • 制造商
  • RENESAS
  • 制造商全稱
  • Renesas Technology Corp
  • 功能描述
  • MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP89N04PUK-E1-AY 技術參數
  • NP5Q128AE3ESFC0E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC PCM 128MBIT 33MHZ SOIC NP5Q128A13ESFC0E 功能描述:128MBIT P5Q PCM HV 3V SOIC LF RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Omneo™ 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G(256M x 16) 速度:- 接口:并聯 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商設備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 NP5Q064AE3ESFC0E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC PCM 64MBIT 33MHZ SOIC NP5Q032AE3ESFC0E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC PCM 32MBIT 33MHZ SOIC NP04SZB4R7N 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 1.6A 100 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.7μH 容差:±30% 額定電流:1.6A 電流 - 飽和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):100 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:27MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬(5.00mm x 5.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.079"(2.00mm) 標準包裝:10 NP8P128A13T1760E NP8P128A13TSM60E NP8P128AE3B1760E NP8P128AE3BSM60E NP8P128AE3T1760E NP8P128AE3TSM60E NP8S2D203QE NP8S2D2W4GE NP8S2D2W4QE NP8S2L203QE NP8S2P203QE NP8S2P2W3QE NP8S2R202GE NP8S2R203QE NP8S2R2W3GE NP8S2R2W4QE NP8S2T103QE NP8S2T202GE
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