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NV08C-EVK

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  • 制造商
  • NVS TECHNOLOGIES
  • 功能描述
  • KIT EVALUATION FOR NV08C
  • 制造商
  • NVS TECHNOLOGIES
  • 功能描述
  • EVAL KIT, FOR NV08C
NV08C-EVK 技術(shù)參數(shù)
  • NUS3116MTR2G 功能描述:MOSFET OSPI QUAD BUS BUFFER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NUS3065MUTAG 功能描述:監(jiān)控電路 LO PROFILE OVERVLTG PROTECT IC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 監(jiān)測(cè)電壓數(shù): 監(jiān)測(cè)電壓: 欠電壓閾值: 過電壓閾值: 輸出類型:Active Low, Open Drain 人工復(fù)位:Resettable 監(jiān)視器:No Watchdog 電池備用開關(guān):No Backup 上電復(fù)位延遲(典型值):10 s 電源電壓-最大:5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:UDFN-6 封裝:Reel NUS3046MNT1G 功能描述:MOSFET 5.5V OVP IC W/ FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NUR460/L03,112 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):4A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1.28V @ 4A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):65ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50μA @ 600V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):150°C(最大) 基本零件編號(hào):NUR460 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 NUR460/L02,112 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):4A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.28V @ 4A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):65ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50μA @ 600V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):150°C(最大) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 NV1350FFC NV1350FFN NV1350FFNC NV1350TT NV1350TTC NV1350TTN NV1350TTNC NV1452FF NV1452FFC NV1452FFN NV1452FFNC NV1452TT NV1452TTC NV1452TTN NV1452TTNC NV1453FF NV1453FFC NV1453FFN
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