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NX7002BKWX

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型號
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封裝
批號
價格
說明
操作

NX7002BKWX
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
367434
NEXPERIA
con
24+
-

NX7002BKWX
北京天陽誠業科貿有限公司
北京天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
715
NEXPERIA
con
24+
-
場效應管

NX7002BKWX
天陽誠業科貿有限公司
天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
367434
NEXPERIA
con
24+
-

NX7002BKWX
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
660000
NEXPERIA/安世
SOT-323
-
授權代理/原廠FAE技術支持

NX7002BKWX
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業執照
715
NEXPERIA
con
24+
-
場效應管

NX7002BKWX
廣東濟德精密電子有限公司
廣東濟德精密電子有限公司
聯系人：吳
電話：18724450645
地址：東莞市大朗鎮松木山村德利路1號2棟2樓
1890
NEXPERIA
NA
2240
-
現貨！就到京北通宇商城

NX7002BKWX
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
NEXPERIA/安世
SMD
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

NX7002BKWX
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室
367434
NEXPERIA
con
24+
-
現貨常備京北通宇商城可查價格

NX7002BKWX
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
90000
NXP Semiconductors
SC-70
18+
-
MOSFET 2N-CH 60V SC-...

NX7002BKWX
深圳市芯馳科技有限公司
深圳市芯馳科技有限公司
聯系人：丁皓鵬
電話：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331
資質：營業執照
10000
PHA
SOT323
15+
-
原裝正品，價格優勢！

NX7002BKWX
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
24000
NEXPERIA
價格優勢
2426
-
全新原裝渠道現貨

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1

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功能描述
MOSFET 2N-CH 60V SC-70
制造商
nexperia usa inc.
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
在售
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
270mA（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
1nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
23.6pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
310mW（Ta）, 1.67W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
2.8 歐姆 @ 200mA，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
SOT-323-3
封裝/外殼
SC-70，SOT-323
標準包裝
1

NX7002BKWX 技術參數

NX7002BKSX 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:270mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:23.6pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）, 1.67W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.8 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-TSSOP 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 標準包裝:1 NX7002BKR 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:270mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:23.6pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）, 1.67W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.8 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 NX7002BKMYL 功能描述:MOSFET N-CH 60V SGL XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:350mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:23.6pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta），3.1W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.8 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DFN1006-3 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 標準包裝:1 NX7002BKMBYL 功能描述:MOSFET N-CH 60V SGL 3-DFN1006B 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:350mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:23.6pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta），3.1W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.8 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:3-DFN1006B（0.6x1）封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 NX7002AKW,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:170mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.43nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:17pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:220mW（Ta），1.06W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 歐姆 @ 100mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:SOT-323-3 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 標準包裝:1 NX7021D0148.500000 NX7021D0622.080000 NX7021D0644.531250 NX7021E0125.000000 NX7021E0150.000000 NX7031D0200.000000 NX7031D0644.531250 NX7031E0125.000000 NX7032C0200.000000 NX7101IDM NX7101IDMTR NX7102IDE NX7102IDETR NX7125003Z NX71C50001 NX71C50003 NX72F5506Z NX72F6208Z

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