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NAND512W3A2SN6F

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NAND512W3A2SN6F PDF下載

制造商
Micron Technology Inc
功能描述
512MB NAND FLASH
制造商
Micron Technology Inc
功能描述
NAND - Tape and Reel

NAND512W3A2SN6F 技術(shù)參數(shù)

NAND512W3A2SN6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 48TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16）速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 NAND512W3A2SE06 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film NAND512W3A2DZA6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) NAND512W3A2DN6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 48TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) NAND512W3A2CZA6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ NANO_FIBER_DEMO_1MM NANO_FIBER_DEMO_HDMI NANO100KC2BN NANO100KD2BN NANO100KD3BN NANO100KE3BN NANO100LC2BN NANO100LD2BN NANO100LD3BN NANO100LE3BN NANO100NC2BN NANO100ND2BN NANO100ND3BN NANO100NE3BN NANO100SC2BN NANO100SD2BN NANO100SD3BN NANO100SE3BN