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NCP511SN15T1

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  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
NCP511SN15T1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 低壓差穩壓器 - LDO 1.5V 150mA CMOS
  • RoHS
  • 制造商
  • Texas Instruments
  • 最大輸入電壓
  • 36 V
  • 輸出電壓
  • 1.4 V to 20.5 V
  • 回動電壓(最大值)
  • 307 mV
  • 輸出電流
  • 1 A
  • 負載調節
  • 0.3 %
  • 輸出端數量
  • 輸出類型
  • Fixed
  • 最大工作溫度
  • + 125 C
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • VQFN-20
NCP511SN15T1 技術參數
  • NCP51199PDR2G 功能描述:線性穩壓器 - 標準 DDR 2Amp Source Sink VTT Termination Reg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 輸出類型: 極性: 輸出電壓:1.8 V 輸出電流:150 mA 負載調節: 最大輸入電壓:5.5 V 線路調整率: 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-323-5L NCP51198PDR2G 功能描述:線性穩壓器 - 標準 1.5A DDR Memory Termination Reg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 輸出類型: 極性: 輸出電壓:1.8 V 輸出電流:150 mA 負載調節: 最大輸入電壓:5.5 V 線路調整率: 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-323-5L NCP5111PG 功能描述:功率驅動器IC HIGH VOLT MOSFET DR MOSFET IGBT DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube NCP5111DR2G 功能描述:功率驅動器IC HIGH VOLT MOSFET DR MOSFET IGBT DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube NCP5109BDR2G 功能描述:功率驅動器IC HIGH VOLT MOSFET DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube NCP511SN30T1 NCP511SN30T1G NCP511SN33T1 NCP511SN33T1G NCP511SN50T1 NCP511SN50T1G NCP51200MNTXG NCP512SQ13T1G NCP512SQ13T2G NCP512SQ15T1 NCP512SQ15T1G NCP512SQ15T2G NCP512SQ18T1 NCP512SQ18T1G NCP512SQ18T2G NCP512SQ22T2G NCP512SQ25T1 NCP512SQ25T1G
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