欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數(shù)資料
型號(hào)： NAND04GA3C2AN6F
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory
中文描述： 4Gbit的，2112字節(jié)的頁(yè)，3V供電，多級(jí)NAND閃存
文件頁(yè)數(shù)： 1/51頁(yè)
文件大小： 374K
代理商： NAND04GA3C2AN6F
November 2006
Rev 2
1/51
1
NAND04GA3C2A
NAND04GW3C2A
4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory
Features
■
High density multi-level Cell (MLC) NAND
Flash memories:
– Up to 128 Mbit spare area
– Cost effective solutions for mass storage
applications
■
NAND interface
– x8 bus width
– Multiplexed Address/ Data
■
Supply voltages
– V
DD
= 2.7 to 3.6V core supply voltage for
Program, Erase and Read operations.
– V
DDQ
= 1.7 to 1.95 or 2.7 to 3.6V for I/O
buffers.
■
Page size: (2048 + 64 spare) Bytes
■
Block size: (256K + 8K spare) Bytes
■
Page Read/Program
– Random access: 60μs (max)
– Sequential access: 60ns(min)
– Page Program Operation time: 800μs (typ)
■
Cache Read mode
– Internal Cache Register to improve the
read throughput
■
Fast Block Erase
– Block erase time: 1.5ms (typ)
■
Status Register
■
Electronic Signature
■
Serial Number option
■
Chip Enable ‘don’t care’
– for simple interface with microcontroller
■
Data Protection
– Hardware Program/Erase locked during
power transitions
■
Embedded Error Correction Code (ECC)
– Internal ECC accelerator
– Easy ECC Command Interface
■
Data integrity
– 10,000 Program/Erase cycles (with ECC)
– 10 years Data Retention
■
ECOPACK
package available
■
Development tools
– Bad Blocks Management and Wear
Leveling algorithms
– File System OS Native reference software
– Hardware simulation models
TSOP48 12 x 20mm
Table 1.
Product List
Reference
Part Number
Density
NAND04Gx3C2A
NAND04GA3C2A
4 Gbits
NAND04GW3C2A
www.st.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND04GW3C2AN6E 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory
NAND128R3A2AZA1 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND128W3A0AV6 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND256R3A0AZB6 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND128W4A0CZA6E 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND04GR3B2DDI6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
NAND04GR3B2DN6E 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán) 其它名稱:497-5040
NAND04GR3B2DZL6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel
NAND04GR3B2EN6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays
NAND04GR3B2EN6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*
主站蜘蛛池模板： 民权县| 苏尼特左旗| 玛沁县| 太康县| 徐汇区| 台山市| 纳雍县| 宝鸡市| 临湘市| 肃南| 盐津县| 广饶县| 涞水县| 治县。| 太原市| 南江县| 金乡县| 桃江县| 华坪县| 尚义县| 泉州市| 巧家县| 宝坻区| 灯塔市| 政和县| 莱芜市| 林州市| 曲松县| 慈溪市| 邛崃市| 赫章县| 大埔县| 龙海市| 南澳县| 临高县| 奉新县| 安平县| 旺苍县| 图们市| 额敏县| 三亚市|