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參數資料
型號： NAND128R3A2BV1E
廠商： 意法半導體
英文描述： 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
中文描述： 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的頁面，1.8V/3V，NAND閃存芯片
文件頁數： 24/57頁
文件大?。?/td> 410K
代理商： NAND128R3A2BV1E
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
24/57
Figure 15. Sequential Row Read Operations
Figure 16. Sequential Row Read Block Diagrams
I/O
RB
Address Inputs
ai07597
1st
Page Output
Busy
tBLBH1
(Read Busy time)
00h/
01h/ 50h
Command
Code
2nd
Page Output
Nth
Page Output
Busy
Busy
tBLBH1
tBLBH1
AI07598
Block
Area A
(1st half Page)
Read A Command, x8 Devices
Area B
(2nd half Page)
Area C
(Spare)
Area A
(main area)
Area C
(Spare)
Read A Command, x16 Devices
Read B Command, x8 Devices
Read C Command, x8/x16 Devices
Area A
Area A/ B
Area C
(Spare)
Area A
(1st half Page)
Area B
(2nd half Page)
Area C
(Spare)
1st page
2nd page
Nth page
1st page
2nd page
Nth page
1st page
2nd page
Nth page
1st page
2nd page
Nth page
Block
Block
Block
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PDF描述
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參數描述
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