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參數資料
型號: NBB-300-T1
廠商: RF MICRO DEVICES INC
元件分類: 衰減器
英文描述: CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 12GHz
中文描述: 0 MHz - 12000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
封裝: 0.017 X 0.017 INCH, 0.004 INCH HEIGHT, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, MICRO-X-4
文件頁數: 8/12頁
文件大小: 293K
代理商: NBB-300-T1
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NBB-300
Rev A11 DS070328
7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 · For sales or technical
support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.
Device Voltage versus Amplifier Current
T
A
= 25°C, V
D
= +3.9 V
3.80
3.85
3.90
3.95
4.00
35.00
40.00
45.00
Amplifier Current, I
CC
(mA)
50.00
55.00
60.00
65.00
D
D
P1dB versus Frequency at 25°C
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
14.0
16.0
18.0
20.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
14.0
16.0
Frequency (GHz)
P
Third Order Intercept versus Frequency
0.0
5.0
10.0
15.0
20.0
25.0
30.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
14.0
16.0
Frequency (GHz)
O
P
OUT
/Gain versus P
IN
at 6 GHz
T
A
= 25°C, V
D
= +3.9 V
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
14.0
16.0
18.0
-7.0
-5.0
-3.0
-1.0
P
IN
(dBm)
1.0
3.0
5.0
7.0
P
O
Gain(dB)
Pout(dBm)
P
OUT
/Gain versus P
IN
at 14 GHz
T
A
= 25°C, V
D
= +3.9 V
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
14.0
-8.0
-6.0
-4.0
-2.0
P
IN
(dBm)
0.0
2.0
4.0
6.0
P
O
Pout(dBm)
Gain(dB)
Pout(dBm)
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