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參數資料
型號: NCP5181DR2G
廠商: ON Semiconductor
文件頁數: 1/12頁
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DRVR HIGH VOLT 8-SOIC
標準包裝: 1
配置: 半橋
輸入類型: 非反相
延遲時間: 100ns
電流 - 峰: 1.4A
配置數: 1
輸出數: 2
高端電壓 - 最大(自引導啟動): 600V
電源電壓: 10 V ~ 20 V
工作溫度: -40°C ~ 125°C
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝: 8-SOICN
包裝: 標準包裝
其它名稱: NCP5181DR2GOSDKR
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