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參數資料
| 型號： | ND4126 |
| 廠商： | Powerex Power Semiconductors |
| 英文描述： | POW-R-BLOK Dual Diode Isolated Module (260 Amperes / Up to 2000 Volts) |
| 中文描述： | 的POW - r -臺BLOk反應腔雙二極管隔離模塊（二百六十安培/高達2000伏特） |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 96K |
| 代理商： | ND4126 |
Powerex, Inc., Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272
POW-R-BLOK
TM
Dual Diode Isolated Module
260 Amperes / Up to 2000 Volts
Revision Date: 11/1/2001
ND41__26
Electrical Characteristics, T
J
=25°C unless otherwise specified
Characteristics
Symbol
Test Conditions
Min.
Max.
Units
Repetitive Peak Reverse Leakage Current
I
RRM
Up to 2000V, T
J
=150°C
50
mA
Peak On-State Voltage
V
FM
I
FM
=1500A
1.35
V
Threshold Voltage, Low-level
Slope Resistance, Low-level
V
(TO)1
r
T1
T
J
= 150°C, I = 15%I
F(AV)
to
π
I
F(AV)
0.764
0.360
V
m
Threshold Voltage, High-level
Slope Resistance, High-level
V
(TO)2
r
T2
T
J
= 150°C, I =
π
I
F(AV)
to I
FSM
.710
0.420
V
m
V
TM
Coefficients, Full Range
T
J
= 150°C, I = 15%I
F(AV)
to I
FSM
V
FM
= A+ B Ln I +C I + D Sqrt I
A =
B =
C =
D =
0.7140
0.0232
4.72 E-4
-6.71 E-3
Diode Reverse Recovery Time (Typical)
t
rr
I
fm
= 1500A, T
p
= 190 μs
di/dt = -25A/μs
10
μ
s
Thermal Characteristics
Characteristics
Symbol
Max.
Units
Thermal Resistance, Junction to Case
R
Θ
J-C
Per Module, both conducting
Per Junction both conducting
0.07
0.14
°C/W
°C/W
Thermal Impedance Coefficients
Z
Θ
J-C
Z
Θ
J-C
= K
1
(1-exp(-t/
τ
1
))
+ K
2
(1-exp(-t/
τ
2
))
+ K
3
(1-exp(-t/
τ
3
))
+ K
4
(1-exp(-t/
τ
4
))
Per Module
K
1
= 5.27E-3
K
2
= 1.17E-2
K
3
= 5.26E-2
K
4
= 6.97E-2
τ
1
= 1.69E-4
τ
2
= 2.07E-2
τ
3
= 2.37E-1
τ
4
= 2.46
0.03
Thermal Resistance, Case to Sink Lubricated
R
Θ
C-S
°C/W
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