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參數(shù)資料
型號: NDB6030PL
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 1/4頁
文件大?。?/td> 0K
描述: MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: High Voltage Switches for Power Processing
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 30A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 25 毫歐 @ 19A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 36nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1570pF @ 15V
功率 - 最大: 75W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-263(D2Pak)
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: NDB6030PLFSDKR
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