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參數資料
型號: NDD03N60ZT4G
廠商: ON Semiconductor
文件頁數: 1/10頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V DPAK
產品目錄繪圖: MOSFET DPAK Pkg
標準包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 2.6A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.6 歐姆 @ 1.2A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 312pF @ 25V
功率 - 最大: 61W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝: D-Pak
包裝: 標準包裝
其它名稱: NDD03N60ZT4GOSDKR
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