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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NDF65312 |
| 廠商： | DYNEX SEMICONDUCTOR LTD |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Fast Recovery Diode |
| 中文描述： | 660 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | CB479, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | NDF65312 |
NDF653
5/7
Fig.4 Typical reverse recovery current vs rate of rise of forward current
1
10
100
1000
Rate of rise of reverse current dI
R
/dt - (A/
μ
s)
10
1
100
1000
R
R
Conditions:
T
j
= 125C,
V
R
= 100V
I
FM
= 500A
I
FM
= 200A
I
FM
= 100A
Fig.5 Maximum (limit) transient thermal impedance - junction to case - (C/W)
100
10
1
0.1
0.01
Time - (s)
0.1
0.01
0.001
T
d.c. Double side cooled
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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