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參數(shù)資料
型號(hào): NDS0610
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 5/5頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: High Voltage Switches for Power Processing
SMPS Power Switch
產(chǎn)品變化通告: Mold Compound Change 12/Dec/2007
產(chǎn)品目錄繪圖: SuperSOT-3, SOT-23
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 120mA
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 10 歐姆 @ 500mA,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 3.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 79pF @ 25V
功率 - 最大: 360mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-23
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁(yè)面: 1602 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: NDS0610DKR
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