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參數資料
| 型號： | NDS9407/D84Z |
| 廠商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 167K |
| 代理商： | NDS9407/D84Z |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDS9407/L99Z | 3000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| NDS9925A | 20 V, 0.06 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| NDS9933A/S62Z | 2700 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| NDS9948/S62Z | 2300 mA, 60 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| NDT014/D84Z | 2.7 A, 60 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| NDS9410 | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NDS9410A | 功能描述:MOSFET Single N-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NDS9410A_D84Z | 功能描述:MOSFET Single N-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NDS9410A_Q | 功能描述:MOSFET Single N-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NDS9410S | 功能描述:MOSFET Single N-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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