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參數資料
| 型號： | NE02133 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NPN SILICON HIGH FREQUNY TRANSISTOR |
| 中文描述： | NPN硅晶體管高FREQUNY |
| 文件頁數： | 1/14頁 |
| 文件大小： | 635K |
| 代理商： | NE02133 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE02135 | NPN SILICON HIGH FREQUNY TRANSISTOR |
| NE021 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE02100 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE02107 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE02107B | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| NE02133-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN SILICON AMP RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE02133-R2-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE02133-R3-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE02133-T1B | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE02133-T1B-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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