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參數(shù)資料
| 型號： | NE553BA |
| 元件分類： | 模擬波形發(fā)生器 |
| 英文描述： | QUAD PULSE; RECTANGULAR, TIMER, PDIP16 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | NE553BA |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NET1-4112 | 4-OUTPUT 240 W AC-DC PWR FACTOR CORR MODULE |
| NF05TL102 | 250 V, 50 HZ, THREE PHASE EMI FILTER |
| NF10TL501 | 250 V, 50 HZ, THREE PHASE EMI FILTER |
| NFA31GD1006R84D | |
| NFM41CC101U2A3K | 1 FUNCTIONS, 100 V, 0.3 A, FEED THROUGH CAPACITOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE55410GR | 制造商:CEL 制造商全稱:CEL 功能描述:N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET FOR 2 W + 10 W VHF to L-BAND SINGLE-END POWER AMPLIFIER |
| NE55410GR_07 | 制造商:CEL 制造商全稱:CEL 功能描述:N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET FOR 2 W + 10 W VHF to L-BAND SINGLE-END POWER AMPLIFIER |
| NE55410GR-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR LDMOS |
| NE55410GR-AZ | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch Power LDMOS FET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| NE55410GR-T3-AZ | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 Silicon Medium Pwr LDMOSFET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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