GT25D05E-HWLIE-TR GIANTEC 聚辰EEPROM

發(fā)布時(shí)間：7/12/2025 | 48 次閱讀

GT25D05E-HWLIE-TR 應(yīng)是兆易創(chuàng)新的 SPI NOR Flash 存儲(chǔ)芯片。因暫無該型號(hào)的公開詳細(xì)資料，參照同系列芯片特性，其性能大致如下：

存儲(chǔ)容量：通常此類芯片容量可能為 512Kbit（64KB）或 1Mbit（128KB），可用于存儲(chǔ)小型程序代碼、配置參數(shù)等4。
工作電壓5：工作電壓范圍一般在 2.7V 至 3.6V 之間，能兼容大多數(shù)微控制器（MCU）和系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）。
接口方式：支持標(biāo)準(zhǔn) SPI（1 線）、雙 SPI（2 線）或四 SPI（4 線）模式，最高時(shí)鐘頻率可達(dá) 50MHz-104MHz 左右，具體取決于芯片型號(hào)和配置。可通過 SPI 接口快速讀寫數(shù)據(jù)，支持雙輸出 / 四輸出快速讀取指令，能有效提升數(shù)據(jù)傳輸效率。
讀寫性能：?jiǎn)雾摼幊虝r(shí)間約 0.5ms-5ms，塊擦除時(shí)間約 3ms-10ms（4KB 塊），整片擦除約 100ms-300ms。芯片的擦寫周期通常可達(dá) 10 萬次左右，數(shù)據(jù)保存時(shí)間可長達(dá) 20 年。
封裝形式：常見為 8 引腳 SOIC/WSON 或 10 引腳 USON 等封裝形式，體積小巧，適合高密度印刷電路板（PCB）設(shè)計(jì)。
安全特性：具備硬件寫保護(hù)功能，可通過 WP# 引腳控制，防止芯片內(nèi)容被意外擦寫或修改。還可能支持塊鎖定功能，通過軟件設(shè)置來保護(hù)關(guān)鍵區(qū)域的數(shù)據(jù)。部分型號(hào)可能內(nèi)置錯(cuò)誤校驗(yàn)與糾正（ECC）功能，提升數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的可靠性。

Leven Cai 蔡明柱

MOB : 13751188660

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