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GT25Q64B-LWSLI-TR 聚辰EEPROM 高性能存儲芯片

發布時間:8/25/2025 | 39 次閱讀
GT25Q64B-LWSLI-TR 聚辰EEPROM 高性能存儲芯片
GT25Q64B-LGLI-TR 應該是兆易創新的 GD25Q64B 存儲芯片產品型號,其性能介紹如下:

  • 存儲容量:芯片存儲容量為 64M 位,即 8MB,它采用 8M×8 的組織結構,內部由 128 個塊組成,每個塊包含 16 個扇區,每個扇區又有 16 頁,每頁存儲容量是 256 字節 。
  • 接口與傳輸速度:支持標準 SPI、雙 SPI 以及四 SPI 模式。雙 SPI 數據傳輸速度最高可達 240Mbit/s,四 SPI 數據傳輸速度則能達到 480Mbit/s 。
  • 工作電壓:工作電壓范圍在 2.7V 至 3.6V,可適應部分電源存在一定波動的場景 。
  • 時鐘頻率:最高時鐘頻率為 120MHz,在 30pF 負載的情況下能夠實現快速數據讀取 。
  • 擦寫與保存能力:具備至少 10 萬次的擦寫周期,數據保存時間可以達到 20 年,保證了長期使用的可靠性 。
  • 功耗表現:處于活躍狀態時最大電流為 20mA,而在掉電模式下,最大電流僅 5μA 。
  • 安全性:擁有 16 位客戶 ID,還設置有 4 個 256 字節的安全寄存器,并且支持一次性可編程(OTP)鎖定功能,以此強化數據存儲的安全性 。
  • 可靠性:64Mb 及以上容量的該系列產品內置了 ECC 糾錯算法和 CRC 校驗功能,能夠檢測并修復位錯誤,可確保數據存儲與讀取的準確性 。

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