| X50328MSB4SI | 晶振 | YXC揚興科技 | * | 250123 | 335 |
| X503225MSB4SI | 晶振 | YXC揚興科技 | * | 240725 | 283 |
| SS14 | 二極管 | ON SEMICONDUCTOR | SMA | 2422 | 4546 |
| A1251-TP | 端子 | CJT | * | 2025-02-17 | 5970 |
| A1251H-6P | 外殼 | CJT | * | 2025-02-17 | 108 |
| 0603WAF330JT5E | 電阻器 | UNIOHM | * | 2025-01-24 | 90722 |
| A1257WR-S-10P | 插頭插座 | CJT | * | 2025-02-18 | 913 |
| RC0805FR-072K2L | 電阻器 | YAGEO | * | 2437 | 81731 |
| RC0805FR-071K2L | 電阻器 | YAGEO | * | 2452 | 46456 |
| LQM2HPN2R2MG0L | 電感器 | MURATA | * | 20250114 | 6000 |
| BLM31KN102SN1L | 磁珠 | MURATA | * | 20250128 | 954 |
| IRF4905STRLPBF | 場效應管 | INFINEON | TO-263-3 | 2414 | 140 |
| HR911130C | 插頭插座 | HANRUN | * | 2446 | 368 |
| RVT1H101M0607 | 電容器 | ROQANG(容強) | SMD | 2508 | 51 |
類型 | 聚合物 | |
電壓 - | 60V | |
電流 - 保持 (Ih) | 50 mA | |
電流 - 跳斷 (It) | 150 mA | |
電流 - | 10 A | |
跳斷時間 | 1.5 s | |
電阻 - 初始 (Ri) | 3.6 Ohms | |
電阻 - 跳斷后 (R1) | 50 Ohms | |
工作溫度 | -40°C ~ 85°C | |
等級 | 汽車級 | |
資質 | AEC-Q200 | |
等級 | - | |
安裝類型 | 表面貼裝型 | |
封裝/外殼 | 1206（3216 公制），凹陷 | |
大小 / 尺寸 | 0.128" 長 x 0.065" 寬（3.25mm x 1.65mm） |