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參數資料
型號: NIF9N05CLT1G
廠商: ON Semiconductor
文件頁數: 1/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
產品變化通告: Specification Change MSL Updated 2/April/2007
標準包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 59V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 2.6A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 125 毫歐 @ 2.6A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 250pF @ 35V
功率 - 最大: 1.69W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝: SOT-223
包裝: 標準包裝
其它名稱: NIF9N05CLT1GOSDKR
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